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自主研发PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产

奥门威尼斯0034com国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功,打破了存储器芯片出产技术长期被国外垄断的局面,工业化远景可观。
  
据专家先容,此款PCRAM芯片将可取代传统存储器,广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。
  
奥门威尼斯0034com国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元,但因为长期缺乏具有自主知识产权的制造技术,海内存储器出产本钱极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。

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